长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，降低晶体管结构与位线之间的接触电阻
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2025-07-16 17:10:28
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120321945A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：沿第一方向依次排布的位线、晶体管结构和电容结构，电容结构沿第一方向延伸，且晶体管结构中包括半导体层，半导体层沿所述第一方向延伸；位线接触层，位于半导体层远离电容结构的端面，位线覆盖位线接触层远离半导体层的端面，以及至少覆盖位线接触层沿第一方向延伸的部分侧壁，所述位线和所述半导体层以及所述位线接触层包括相同的半导体材料，且所述位线的材料中掺杂有磷。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息224条，专利信息453条，此外企业还拥有行政许可34个。
来源：金融界
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