鑫华半导体申请区熔多晶硅应力检测方法专利，为区熔多晶硅制备提供理论上的支持
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2025-07-16 22:39:06
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种区熔多晶硅应力检测方法”的专利，公开号 CN120314345A，申请日期为 2025 年 04 月。
专利摘要显示，本发明涉及区熔多晶硅棒应力均匀性检测的技术领域，特别是涉及一种区熔多晶硅应力检测方法，包括以下步骤：S1、沿硅棒径向方向切割，得到薄片；S2、相同间隔下对薄片进行多点取样，得到初始试样；S3、去除初始试样表面的氧化层，然后依次进行清洗和干燥，得到最终试样；S4、然后使用 X 射线衍射仪对最终试样进行测试，得到数据文件；S5、使用 XRD 数据分析软件对数据文件进行处理，提取出不同最终试样衍射峰的位置信息；S6、根据提取出的衍射峰的位置信息，判断应力分布是否均匀；可以测量多晶硅棒同水平或垂直水平上的应力大小及均匀性，为区熔多晶硅制备提供理论上的支持。
天眼查资料显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本148571.4288万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鑫华半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可51个。
来源：金融界
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