武汉飞恩微电子取得可降低待测压力介质侵入传感器内部风险的差压传感器专利，降低待测压力介质侵入传感器内部风险_电子百科

武汉飞恩微电子取得可降低待测压力介质侵入传感器内部风险的差压传感器专利，降低待测压力介质侵入传感器内部风险

创始人

2025-07-17 14:37:25

0次

金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，武汉飞恩微电子有限公司取得一项名为“一种差压传感器”的专利，授权公告号CN223107115U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，一种可降低待测压力介质侵入传感器内部风险的差压传感器，包括：壳体，其限定了一安装腔及两个相互独立的压力引入通道；及设置于安装腔内的压力测量组件，包括设置于基板两侧表面的一处理电路的基板、固定于基板背面一侧且具有沿基板厚度方向贯通的两个第一开口的一框体以及固定于基板背面一侧且分别地被安置于由两个第一开口与基板的背面一侧围成的两个填充腔内的两个绝压式压力敏感元件，框体的远离基板的一侧被粘接于壳体上且两个填充腔的背面一侧分别地密封连通至两个压力引入通道的内侧一端；处理电路包括设置于基板背面一侧的第一电路部分及设置于基板正面一侧的第二电路部分；填充腔填充有覆盖对应的压力敏感元件及引线的保护凝胶。

天眼查资料显示，武汉飞恩微电子有限公司，成立于2011年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2862.129424万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉飞恩微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息764条，此外企业还拥有行政许可7个。

来源：金融界

企业框体降低介质风险压力传感器微电子武汉专利电路基板差压传感器

上一篇：大朝电子取得电容器并联检测装置专利可对多个电容器同时进行并行老化检测

下一篇：2025 CIC中国智慧生活大会闭幕“生活美学创新发展论坛”解密美学经济蓝海

武汉飞恩微电子取得可降低待测压力介质侵入传感器内部风险的差压传感器专利，降低待测压力介质侵入传感器内部风险

相关内容

热门资讯