金融界2025年7月19日消息,国家知识产权局信息显示,桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有集成的接触和支撑结构的三维存储器器件及其制造方法”的专利,公开号CN120345359A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种存储器器件,该存储器器件包括:第一绝缘层和导电层的第一层交替堆叠,该第一层交替堆叠位于衬底上方;第二绝缘层和第二导电层的第二层交替堆叠,该第二层交替堆叠上覆于该第一层交替堆叠上;存储器堆叠结构,该存储器堆叠结构竖直延伸穿过该第一层交替堆叠和该第二层交替堆叠;和第一支撑和接触组件,该第一支撑和接触组件竖直延伸穿过该第一层交替堆叠和该第二层交替堆叠。该第一支撑和接触组件包括:第一接触通孔结构,该第一接触通孔结构接触导电层的环形顶部表面;第一介电柱结构,该第一介电柱结构下伏于该参考层级导电层下;和第一层介电间隔物,该第一层介电间隔物横向围绕该第一接触通孔结构。
来源:金融界