金融界2025年7月21日消息,国家知识产权局信息显示,江西乾照光电有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制作方法”的专利,公开号CN120344054A,申请日期为2025年04月。
专利摘要显示,本申请公开了一种LED芯片及其制作方法,该制作方法包括:在衬底一侧形成N型层,N型层包括层叠的第一组成层、第二组成层和第三组成层,第一组成层为N型掺杂的GaN层,第二组成层为非掺杂的AlGaN层,第三组成层包括非掺杂的AlGaN层与N型掺杂的GaN层组成的超晶格层;在N型层远离所述衬底一侧形成量子阱有源层;在量子阱有源层远离N型层一侧形成P型层。该LED芯片及其制作方法可以通过在第二组成层中,利用Al原子替位作用带来的晶格失配致使位错发生弯曲,以使得N型层中的缺陷在此界面处减少或湮灭,从而到达屏蔽位错作用,提高N型层的生长质量,提高N型层的抗静电能力,最终提高LED芯片的抗静电能力和可靠性。
天眼查资料显示,江西乾照光电有限公司,成立于2017年,位于南昌市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析,江西乾照光电有限公司参与招投标项目42次,专利信息116条,此外企业还拥有行政许可56个。
来源:金融界