长江存储申请半导体结构及其制作方法、存储器系统专利，提供一种半导体结构及其制作方法、存储器系统_电子百科

长江存储申请半导体结构及其制作方法、存储器系统专利，提供一种半导体结构及其制作方法、存储器系统

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2025-07-21 12:38:09

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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器系统”的专利，公开号CN120343900A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器系统，该半导体结构的制作方法，包括：提供基底结构；其中，基底结构包括阵列排布的多个有源柱；有源柱包括沿第三方向排布的第一端和第二端；在有源柱的第一侧形成存储结构；存储结构与第一端连接；在有源柱的第二侧形成沿第一方向排布的多个第一导电结构；第一导电结构沿第二方向延伸且与第二端连接；第一侧与第二侧为有源柱沿第三方向相对的两侧；从第二侧在相邻的第一导电结构之间形成第一导电屏蔽结构；第一导电屏蔽结构沿第二方向延伸；从有源柱的第二侧刻蚀第一导电结构形成沿第二方向排布的多个第一导电线以及刻蚀第一导电屏蔽结构形成多个沿第二方向排布的第一导电屏蔽线。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1394次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界

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