爱思开海力士申请具有接触插塞的三维存储器装置及其制造方法专利，涉及具有接触插塞的三维存储器装置及其制造方法
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2025-08-06 16:41:57
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有接触插塞的三维存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN120435002A，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请涉及具有接触插塞的三维存储器装置及其制造方法。一种半导体装置包括：层叠物，其包括交替地层叠在基板上的多个电极层和多个层间绝缘层；接触插塞，其包括与多个电极层中的一个设置在同一层中的焊盘部分和通过穿透层叠物而延伸到焊盘部分的柱部分；间隔物，其围绕柱部分的侧表面；以及硬掩模图案，其设置在间隔物周围的电极层之间。
来源：金融界
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