原子启智半导体申请用于高深宽比结构的原子层刻蚀的动态参数调整专利，提高HAR结构刻蚀的精度和效率
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2025-12-30 00:08:18
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国家知识产权局信息显示，上海原子启智半导体设备有限公司申请一项名为“用于高深宽比结构的原子层刻蚀的动态参数调整”的专利，公开号CN121215553A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于高深宽比结构的原子层刻蚀的动态参数调整的方法，其用于在半导体制造中采用原子层刻蚀(AtomicLayerEtching；ALE)形成高深宽比(HighAspectRatio；HAR)结构。该方法涉及根据ALE循环次数动态调整工艺参数，例如表面改性步骤的持续时间和溅射步骤的偏置电平。该调整可依据预先建立的模型或以往测试的经验数据进行，从而提高HAR结构刻蚀的精度和效率。
天眼查资料显示，上海原子启智半导体设备有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1360.8696万人民币。通过天眼查大数据分析，上海原子启智半导体设备有限公司专利信息4条。
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来源：市场资讯
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