万国半导体申请带有沟槽内ESD结构的沟槽晶体管专利，提供静电放电保护
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2026-01-01 11:07:47
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国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“带有沟槽内ESD结构的沟槽晶体管的制造”的专利，公开号CN121237782A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽晶体管和制造方法，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括第一导电类型的离子，其中所述第一导电类型的离子与第二导电类型的离子相反。在所述半导体衬底中形成一个静电放电保护(ESD)沟槽，并在所述半导体衬底的ESD沟槽表面上形成一个下部绝缘层。在所述ESD沟槽中的所述下部绝缘层上形成一个氮化物层，并在所述氮化物层上形成一个上部绝缘层。在所述上部绝缘层上形成一个ESD半导体层。
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来源：市场资讯
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