长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，得到具有改善翘曲问题的半导体器件
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2026-01-01 15:16:48
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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构以及半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN121240436A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体结构以及半导体结构的制作方法，该半导体结构包括：衬底；叠层结构，位于所述衬底上，所述叠层结构包括在沿垂直于所述衬底表面的方向上堆叠的多个叠层单元，每个所述叠层单元至少包括的一个存储单元件与一个隔离结构的堆叠；应力调整层，位于所述叠层结构与衬底之间，所述应力调整层包括第一硅锗层；所述第一硅锗层的材料包括掺杂锗的硅，其中锗的含量为第一成分比，所述第一成分比与所述存储单元件的厚度或所述隔离结构的厚度占所述叠层单元的厚度的比例线性相关，所述厚度的方向为沿垂直于所述衬底表面的方向。上述半导体结构可以得到具有改善翘曲问题的半导体器件。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息235条，专利信息640条，此外企业还拥有行政许可34个。
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来源：市场资讯
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