深圳镓楠半导体申请氮化镓器件制作方法专利，降低栅极下方沟道导通电阻
创始人
2026-01-01 20:07:07
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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件及其制作方法”的专利，公开号CN121240505A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供了一种氮化镓器件，包括：外延结构、形成在外延结构上的栅极，栅极包括形成在外延结构上的P-GaN部、形成在P-GaN部上的栅金属，至少部分的P-GaN部未被栅金属覆盖以形成PGaN肩膀，栅极还包括形成在栅金属上方的第一钝化层、形成在第一钝化层上方的第一金属部；其中，沿垂直于衬底主表面的方向观察，至少部分的第一金属部覆盖PGaN肩膀。采用MIS加肖特基混合结构，PGAN肩膀处的P-GaN部不再浮空，当栅极加正压时，PGaN肩膀处会有电势加在P-GaN部上方辅助P-GaN部开启，从而在降低栅极漏电的前提下降低栅极下方沟道导通电阻。同时PGaN肩膀处的MIS结构可以调节PGaN肩膀处的电场，优化动态性能提升器件可靠性。
天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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