新微技术研发中心申请MEMS传感器空腔结构制备方法专利，避免硅衬底出现收缩应变和卷曲现象
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2026-01-07 16:08:23
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国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种MEMS传感器及其空腔结构的制备方法”的专利，公开号CN121269619A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供了一种MEMS传感器及其空腔结构的制备方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。所述制备方法在第一硅衬底上沉积硼纳米颗粒，形成带有自停止层的第一硅衬底；将所述带有自停止层的第一硅衬底进行后处理，形成空腔结构。本发明通过沉积硼纳米颗粒形成自停止层，实现对湿法腐蚀的高精度控制，同时在一定程度上减小对硅器件的应力作用，避免硅衬底出现收缩应变和卷曲现象，影响传感器性能。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目484次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息817条，此外企业还拥有行政许可46个。
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来源：市场资讯
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