华光光电申请半导体激光器芯片多次外延生长方法专利，操作简单适合批量化生产
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2026-01-09 00:36:50
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国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种半导体激光器芯片多次外延生长方法”的专利，公开号CN121282730A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体激光器芯片多次外延生长方法。该方法步骤：在衬底上外延生长激光器芯片基本外延结构；在激光器芯片基本外延结构上依次生长第一氧化物层、第二氧化物层，然后高温快速退火并快速降温，产生裂纹；用BOE腐蚀液通过裂纹腐蚀第一氧化物层、第二氧化物层，形成凸形沟槽；在凸形沟槽内和第二氧化物层上继依次生长带隙过渡层和帽层；去除第二氧化物层上的带隙过渡层和帽层，然后再将第一氧化物层和第二氧化物层去除，形成有倒凸形沟槽的带隙过渡层和帽层。本发明的有益效果：本发明的多次外延生长方法在整个工艺过程中，无需使用光刻设备、光刻板、光刻胶，操作简单，工艺可控制，适合批量化生产。
天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目549次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息771条，此外企业还拥有行政许可15个。
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来源：市场资讯
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