南亚科技申请半导体装置及字线制造方法专利，解决元件可靠性不足问题
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2026-01-10 12:09:51
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及字线的制造方法”的专利，公开号CN121310533A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种半导体装置包括基板、第一字线结构、第一介电结构、掺杂区域及第一绝缘帽盖。第一字线结构设置于基板中。第一介电结构呈筒状并设置于基板与第一字线结构之间。掺杂区域设置于基板中，并毗邻第一字线结构。第一绝缘帽盖设置于第一字线结构之上，其中第一绝缘帽盖包括基部及外扩顶部，外扩顶部设置于基部之上。绝缘帽盖的特殊设计能防止导电材料渗入潜在的缝隙中，从而避免造成短路，解决元件可靠性不足的问题。
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来源：市场资讯
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