晶湛半导体申请一种半导体结构专利，大大提高器件的可靠性
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2026-01-10 17:07:28
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国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构”的专利，公开号CN121310608A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构，半导体结构包括N型硅衬底，N型硅衬底由交替的delta掺杂层和均匀掺杂层组成；位于N型硅衬底上的外延结构，外延结构的材料包括氮化物材料。本公开设置的N型硅衬底可有效抑制外延结构中的Ga/Al等向衬底扩散，从而降低产生寄生电容和泄漏电流的可能，大大提高器件的可靠性。本公开设置交替的N型delta掺杂层和N型均匀掺杂层可进一步实现多层的空间电荷耗尽，进一步避免寄生电容和泄漏电流。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息324条，此外企业还拥有行政许可24个。
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来源：市场资讯
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