合肥晶合集成电路申请背照式图像传感器及其制备方法专利，不同层结构的Photo diode可以增加Quantum e‑的数量_电子百科

合肥晶合集成电路申请背照式图像传感器及其制备方法专利，不同层结构的Photo diode可以增加Quantum e‑的数量

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2026-01-12 20:08:48

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“背照式图像传感器及其制备方法”的专利，公开号CN121310673A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，包括：衬底以及位于衬底的第一表面上且沿平行于第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、目标隔离叠层；衬底内包括经由第一表面向衬底内延伸，且沿第一方向间隔排布的多个沟槽隔离结构；沟槽隔离结构位于一对一设置的目标隔离叠层的正下方；光电二极管包括沿背离衬底的第二方向层叠的第一光敏区、第二光敏区；第二光敏区，固相扩散形成于第一光敏区内；第一光敏区包括至少三层不同材料的感光层；目标隔离叠层的导电类型与第一光敏区的导电类型相反，其侧壁呈锯齿状。不同层结构的Photo diode可以增加Quantum e‑的数量。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业 Quantum 投资隔离合肥 diode Photo 包括晶合专利导电叠层光敏区衬底

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