钧胜广源申请储能系统及方法专利，能够快速到达工作电压
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2026-01-15 07:45:16
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国家知识产权局信息显示，厦门钧胜广源半导体有限公司申请一项名为“储能系统及方法、供电系统及方法”的专利，公开号CN121308221A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明属于电能存储系统技术领域，提供储能系统及方法、供电系统及方法，储能系统包括：输入储能元件：一端接地，另一端连接电流源；储能电路：包括控制电路和储能元件，控制电路一端与输入储能元件另一端连接，另一端与储能元件一端连接，储能元件另一端接地；第一级储能电路的控制电路通过输出储能元件触发导通，其他级储能电路的控制电路通过上一级控制电路触发导通；输出储能元件的一端与输入储能元件另一端连接，另一端接地；其中，第一级储能电路的控制电路的触发条件为输出储能元件储能到第一阈值；其他级储能电路的控制电路触发条件为上一级储能电路的储能元件储能到第二阈值。本发明分级储能，能够快速到达工作电压。
天眼查资料显示，厦门钧胜广源半导体有限公司，成立于2024年，位于厦门市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本220.8332万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门钧胜广源半导体有限公司专利信息1条。
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