三安半导体申请发光二极管封装体及发光装置专利，降低锡膏熔化导致子层线路互连风险
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2026-01-16 17:37:21
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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管封装体及发光装置”的专利，公开号CN121335317A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管封装体及发光装置，发光二极管封装体包括多个发光单元，位于发光单元上方的布线层包括多个相互间隔的子层。第二子层靠近第二发光单元的投影边界线为第一投影边界，第三子层覆盖第二发光单元的部分靠近第一边界线的投影边界线为第二投影边界，第三子层自第二发光单元的边界延伸的部分靠近第一投影边界的投影边界线为第三投影边界，第三投影边界上任意一点与第一投影边界之间的垂直距离大于第二投影边界与第二发光单元的投影边界线的交点O与第一投影边界之间的第一垂直距离，使得第二子层和第三子层之间的最小距离增大，增加了二者之间的间隔区域的面积，降低锡膏熔化自第三子层进入到第二子层的风险，避免子层线路互连。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息630条，此外企业还拥有行政许可369个。
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来源：市场资讯
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