每经AI快讯,1月19日,中微半导(688380.SH)公告称,公司即将推出首款非易失性存储器芯片,该产品为4M bit容量的低功耗SPI NORFlash,存储阵列共2048个可编程页,每页容量为256字节,单次可编程写入数据量最高可达256字节,支持多种擦除模式,具有低成本、低功耗、SPI高速读写、掉电不丢失特点,适配小存储需求场景。新产品的发布是公司实施“MCU+”战略的最新成果,丰富了公司产品矩阵和形态,拓宽了应用场景,预计对公司未来发展产生积极影响。
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