积塔半导体申请半导体结构制备方法专利，避免形成金属栅过程中对嵌入式电阻表面造成损伤_电子百科

积塔半导体申请半导体结构制备方法专利，避免形成金属栅过程中对嵌入式电阻表面造成损伤

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2026-01-24 16:13:53

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121398055A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构制备方法、半导体器件，包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向间隔排列的元件区，以及位于相邻元件区之间的电阻区；于电阻区形成沿背离衬底方向依次排列的介质叠层、保护层以及具有预设高宽比的多晶硅层；于保护层、介质叠层及多晶硅层的侧壁上形成侧墙结构，并采用目标溶液刻蚀并去除电阻区内部分的多晶硅层、保护层，于侧墙结构侧壁，以及介质叠层的顶面上形成第一沟槽；于第一沟槽内，以及元件区内形成金属栅；其中，在执行研磨工艺去除金属栅内多余金属层时，基于保护层与金属层的研磨速率比，电阻区的多晶硅层内形成凹槽，以至暴露保护层的部分顶面。能够避免形成金属栅过程中，对嵌入式电阻的表面造成损伤。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1949次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1339条，此外企业还拥有行政许可200个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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