中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，扩大导电沟道电流值的可调范围值_电子技术

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，扩大导电沟道电流值的可调范围值

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2025-05-31 17:04:47

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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120076402A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底包括第一区以及与其相邻的第二区；鳍部，凸立于第一区和第二区的衬底顶部；第一栅极结构，位于第一区的鳍部的一侧且覆盖所述鳍部的侧壁；第二栅极结构，位于第一区的鳍部的另一侧且覆盖所述鳍部的侧壁，所述第一栅极结构的顶部与所述第二栅极结构的顶部相齐平；第三栅极结构，位于第二区的衬底顶部且横跨鳍部的部分顶部和部分侧壁，第三栅极结构的顶部与第一栅极结构和第二栅极结构的顶部相齐平。通过控制第一栅极结构和第二栅极结构的电压值不同，使第一区中导电沟通的电流值不同，扩大导电沟道电流值的可调范围值。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。

来源：金融界

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