金融界2025年6月2日消息,国家知识产权局信息显示,东莞新科技术研究开发有限公司申请一项名为“半导体基材的处理方法”的专利,公开号CN120060793A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,本发明的半导体基材的处理方法,包括:清洗并烘干半导体基材;在真空腔室内,对所述半导体基材进行离子溅射镀膜处理以在所述半导体基材上形成钼薄膜层;其中,所述离子溅射镀膜处理包括:所述半导体基材由可旋转的载物台支撑,钼靶材与所述半导体基材具有预定距离,在进行镀膜时,所述载物台保持旋转。
来源:金融界