桑迪士克申请包括由竖直半导体沟道的内侧壁包围的源极结构的三维存储器器件及其形成方法专利，具有被圆柱形竖直半导体沟道的内侧壁包围的部分
创始人
2025-07-28 18:12:13
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包括由竖直半导体沟道的内侧壁包围的源极结构的三维存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN120380856A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种三维存储器器件包括源极结构，该源极结构具有被圆柱形竖直半导体沟道的内侧壁包围的部分。

来源：金融界

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