力晶积成取得3D NAND闪存存储器元件专利
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2025-08-01 14:12:23
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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司取得一项名为“3D NAND闪存存储器元件”的专利，授权公告号CN114300469B，申请日期为2020年10月。

来源：金融界

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