中欣晶圆申请提高高电阻晶圆平坦度测试准确性的装置及方法专利，提高了测试的准确性
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2025-08-02 15:11:09
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“提高高电阻晶圆平坦度测试准确性的装置及方法”的专利，公开号CN120417190A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明属于半导体制造及检测技术领域，具体的说是提高高电阻晶圆平坦度测试准确性的装置及方法，包括工作台；所述工作台顶端与测试装置主体底端固定连接，所述工作台顶端与观察箱底端固定连接，所述工作台顶端设置有静电消除机构；所述静电消除机构包括离子风扇；通过静电消除机构的设计，实现了可对测试环境以及装置表面的静电进行消除的功能，解决了现有的装置并未设置有可用于消除环境以及装置上静电的组件，当在进行对晶圆平坦度测试时，由于高电阻晶圆在平坦度测试中易受静电吸附，表面电荷积累影响，若并未提前对测试环境以及装置进行静电消除处理时，将会导致测试结果存在误差的问题，提高了测试的准确性。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息348条，此外企业还拥有行政许可17个。
来源：金融界
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