江苏神州半导体申请采用冷却系统的高功率等离子源专利 增加冷却效果
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2025-08-06 19:16:16
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金融界2025年8月6日消息,国家知识产权局信息显示,江苏神州半导体科技有限公司申请一项名为“一种采用冷却系统的高功率等离子源”的专利,公开号CN120434873A,申请日期为2024年02月。

专利摘要显示,本发明公开了一种采用冷却系统的高功率等离子源,涉及等离子源技术领域,包括外壳与上顶盖,所述外壳与上顶盖固定连接,所述外壳与上顶盖组成一个风冷腔室,所述风冷腔室内还设置有外储流箱,所述外储流箱内固定安装有内主管道,所述外储流箱两端固定安装有冷却模块,所述冷却模块由多个气流通道与液体通道组成,所述气流通道的两端为喇叭形,所述气流通道两端的喇叭形是不一致的,所述液体通道是两个液体通道接触后两个液体通道之间的空隙组合而成的,本装置通过在冷却模块上设置多个气流通道,同时通过气流通道的特殊形状,让本装置能在增大液体通道与气流接触面积的同时增强空气的流动性,增加冷却效果与本装置冷却强度。

天眼查资料显示,江苏神州半导体科技有限公司,成立于2016年,位于扬州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2345.679万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏神州半导体科技有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目29次,财产线索方面有商标信息28条,专利信息132条,此外企业还拥有行政许可23个。

来源:金融界

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