当地时间1月11日，美光公司移动与客户端业务部门市场副总裁克里斯托弗·摩尔表示，由于晶圆厂扩建周期漫长、客户认证流程复杂，当前全球存储器供应紧张的局面在2028年前难以得到显著缓解。

摩尔指出，新建晶圆厂从建设到产生实质性产能贡献，过程极为耗时。以美光为例，其正在建设中的爱达荷州第一座晶圆厂预计在2027年开始DRAM生产。然而，这仅仅是一个起点。后续还需要完成复杂的客户资质认证，特别是要满足人工智能客户对制程和良率的极高要求。因此，该工厂的真正显著产能释放预计要等到2028年之后。这一时间表也与公司更长期的扩产规划相呼应。据了解，美光纽约州的首座晶圆厂计划于2030年投产。

摩尔进一步解释，产能瓶颈不仅源于新工厂的建设周期，也受到当前生产流程效率的制约。他表示，单靠建设新工厂无法迅速解决短缺问题。一个关键的限制因素是下游客户对内存模组规格的多样化需求。例如，当像苹果这样的客户同时订购8GB、12GB和16GB等不同容量的模组时，生产线需要进行频繁的配置切换，这会降低整体生产效率。美光正与客户合作，努力稳定需求结构，以最大化现有产线的产出。

与此同时，人工智能相关需求的急剧增长正在重塑美光的业务结构。摩尔透露，数据中心和企业级市场正迅速扩张，该部分业务在美光整体存储器业务中的占比，已从过去的30%至35%提升至接近50%至60%。有行业观察指出，美光此前选择退出其消费级品牌Crucial，正是为了将更多资源转向企业级DRAM和SSD，以集中应对AI浪潮带来的需求增长。

面对全球范围内的供应挑战，摩尔也对来自不同地区的竞争持开放态度。他表示，随着中国存储器厂商加快在DDR5和HBM等先进产品领域的布局，这种竞争有助于推动美光持续提升自身能力，从而更好地服务客户并巩固市场地位。

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来源：市场资讯