芯恩申请半导体加工反应腔及其制备方法以及半导体加工设备专利，减少聚合物微粒沉积在腔室侧壁上

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“半导体加工反应腔及其制备方法以及半导体加工设备”的专利，公开号...

比亚迪半导体申请一种二极管的制造方法和二极管专利，简化二极管的工艺步骤

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“一种二极管的制造方法和二极管”的专利，公开号CN120076352...

互联电子申请传感装置专利，传感装置可以包括第一类型的第一传感器

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，互联电子公司申请一项名为“传感装置”的专利，公开号CN120077350A，申请日期为2023年08月。...

天合光能申请提升硼扩散后方阻一致性及电池光电转化效率的专利

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法和光伏组件”的专利，公开号CN120...

星河电路申请电路板封装工艺专利，形成垂直互连结构

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，黄石星河电路有限公司申请一项名为“一种电路板的封装工艺”的专利，公开号CN120076196A，申请日期...

齐达科技取得改进型韦根传感器专利，韦根传感器的稳定性好，检测较为准确

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，广州齐达材料科技有限公司、广东齐达科技有限公司取得一项名为“一种改进型韦根传感器”的专利，授权公告号CN...

成都承宏机电取得可调节焊接角度绕线电阻专利，避免直接弯曲引线时造成引线与电阻电性连接的导电性

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，成都承宏机电有限公司取得一项名为“一种可调节焊接角度的绕线电阻”的专利，授权公告号CN222927262...

南通皋鑫科技申请一种旁路二极管的电性检测系统及方法专利，优化对旁路二极管的电性检测效率

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，南通皋鑫科技开发有限公司申请一项名为“一种旁路二极管的电性检测系统及方法”的专利，公开号CN120054...

MOS管被烧坏是什么原因？（3）

富安电子申请新能源汽车核心电源与5G通信模块协同控制方法专利，确保核心电源与5G电子模块数据沟通

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，天长市富安电子有限公司申请一项名为“新能源汽车核心电源与5G通信模块协同控制方法”的专利，公开号CN12...

各类MOS管，有你想要的吗？

MOS管的功耗计算与散热设计要点

MOS管的功耗计算与散热设计是确保其稳定工作和延长使用寿命的关键环节。以下是对MOS管功耗计算与散热设计要点的详细分析： 一、MOS管的功耗计算 MOS管的功...

微硕MOS管，驱动未来每一刻

【Madison】19针MOS19真空馈通

麦迪森科技提供19针MOS19高真空馈通-MT112-MOS19-K40，在KF40法兰上焊接一个麦迪森19针馈通，馈通型号为MT112-MOS19-WV，电压...

各类工业体系的MOS管展现，

沪士电子申请PCB板槽位加工方法专利，提高了PCB板两面的加工位置精度

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，沪士电子股份有限公司申请一项名为“一种PCB板槽位加工方法”的专利，公开号CN120076176A，申请...

益阳阳光电子取得电解电容器加工用自动化清洗装置专利，提高了电容器外壳的清洗效果

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，益阳阳光电子科技有限公司取得一项名为“一种电解电容器加工用自动化清洗装置”的专利，授权公告号CN2229...

锐视智芯申请基于参考像素的灰度映射标定方法等专利，提高双模态融合传感器采集的灰度图像质量

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳锐视智芯科技有限公司申请一项名为“基于参考像素的灰度映射标定方法、装置、传感器及介质”的专利，公开号...

游戏论｜吉田宽：电子游戏的视角与空间

本文经作者授权译自《电子游戏研究》（デジタルゲーム研究），东京大学出版会，2023年，第2章。 本章内容来源于收录在神户大学艺术学研究室《美学艺术学论集》第7期...

小米申请电子设备专利，该电子设备的边框天线具有良好的辐射性能

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，北京小米移动软件有限公司申请一项名为“电子设备”的专利，公开号CN120073284A，申请日期为202...