长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，减小相邻两个导线之间的漏电
创始人
2025-05-27 22:07:06
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN120050937A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，旨在减小相邻两个导线之间的漏电。本申请实施例提供的半导体结构中，位线层通过布线层中的导线与外围电路层连接，位线层包括第一位线和第二位线，而第一位线中第一子位线和第二子位线之间的第一间隔和第二位线中第三子位线和第四子位线之间的第二间隔在第一方向上错开设置，则在第一子位线靠近第一间隔的一端、第二子位线靠近第一间隔的一端的整体与第三子位线靠近第二间隔的一端、第四子位线靠近第二间隔的一端的整体在第一方向上错开，使连接第一子位线和第二子位线的导线与连接第三子位线和第四子位线的导线在第一方向上的距离变大，从而减小了相邻两个导线之间的漏电。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1384次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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