南亚科技申请具有主动区的半导体结构及其制备方法专利，提供一种新型半导体结构
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2025-05-30 13:34:44
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有主动区的半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120072795A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构，包括具有一主动区的一基底、多个介电结构、一电容器接触件和一着陆垫。该主动区设置在该等介电结构之间。该电容器接触件设置在该主动区上方并与该主动区接触。该着陆垫设置在该电容器接触件上方。该着陆垫包括一接触插塞、一阻障层、一第一硅化物层和一第二硅化物层。该接触插塞设置在该电容器接触件上方并与该电容器接触件接触。该阻障层附接到该接触插塞的一侧壁。第一硅化物层与该接触插塞接触。该第二硅化物层设置在该接触插塞和该阻障层上方并且与该阻障层的一侧壁接触。该第二硅化物层的一高度大于该第一硅化物层的一高度。
来源：金融界
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