新存科技申请三维堆叠存储器及其制造方法专利，提高了存储器的可靠性
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2025-05-31 19:02:54
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种三维堆叠存储器及其制造方法”的专利，公开号CN120076340A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种三维堆叠存储器及其制造方法，可用于半导体领域，其中，存储器包括：存储单元、钨栓、第一信号线以及第二信号线；存储单元与钨栓堆叠，形成子结构；子结构位于第一信号线和第二信号线线的交叉区域；子结构包括沿第一信号线延伸方向和/或沿第二信号线延伸方向相邻的第一子结构和第二子结构；第一子结构包括第一存储单元和第二钨栓，第二子结构包括第二存储单元和第一钨栓；第一存储单元与第一信号线接触，第二钨栓与第二信号线线接触；第二存储单元与第二信号线接触，第一钨栓与第一信号线接触。由此，每个存储单元均与钨栓相邻，从而避免了存储器中各存储单元之间的直接热干扰，提高了存储器的可靠性。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1718.4646万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3次，专利信息114条。
来源：金融界
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