高通申请竖直传输场效应晶体管集成的优化专利，可正交传输电荷载流子
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2025-06-02 13:04:10
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，高通股份有限公司申请一项名为“竖直传输场效应晶体管集成的优化”的专利，公开号CN120077762A，申请日期为2023年08月。

专利摘要显示，一种竖直传输场效应晶体管(VTFET)包括：位于衬底上的多个FET结构；该多个FET结构包括：相对于该衬底在第一平面方向上取向的第一n型FET结构；以及相对于该衬底在第二平面方向上取向的第一p型FET结构；其中该第一n型FET结构和该第一p型FET结构各自包括具有FIN高度H的FIN，其中H定义与该衬底的表面正交的该FIN高度，每个FIN被配置为沿着该FIN高度与该衬底的该表面正交地传输电荷载流子。

来源：金融界

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