硅格半导体申请闪存芯片读重试方法相关专利，降低读重试成功所需要的重试次数
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2025-06-04 19:07:22
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市硅格半导体有限公司申请一项名为“闪存芯片的读重试方法、设备及存储介质”的专利，公开号CN120089174A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本申请公开了一种闪存芯片的读重试方法、设备及存储介质，属于数据处理技术领域。该方法包括：在触发闪存芯片的读重试进程后，确定触发读重试进程的误码率和/或读感知电压，将触发误码率和/或读感知电压，输入闪存芯片对应的读取偏移量模型，并获取读取偏移量模型输出的重试电压，通过重试电压对闪存芯片进行读重试，并基于读重试结果调整重试电压，在读重试结果为成功时，基于对应的重试电压，更新读感知电压并保存。
天眼查资料显示，深圳市硅格半导体有限公司，成立于2007年，位于深圳市，是一家以从事水利管理业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市硅格半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息170条，此外企业还拥有行政许可13个。
来源：金融界
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