格科半导体申请半导体器件形成方法及器件相关专利，可增厚第二金属层
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2025-06-07 17:05:54
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法及半导体器件”的专利，公开号CN120111981A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的形成方法及半导体器件。本发明的形成方法包含提供一堆栈结构，所述堆栈结构包含依次堆叠形成的第一金属层、第一截止层、低介电层、第二截止层、硬掩膜层、抗反射层及光阻层，所述光阻层定义有沟槽图形；刻蚀形成金属连接孔、沟槽；再填充金属，形成第二金属层；平整第二金属层。本发明在低介电层上设置第二截止层，避免了刻蚀过程中以及化学机械研磨过程中低介电层的损失，还可以增加沟槽深度，进而达到增厚第二金属层的目的。而且，本发明在平整第二金属层时，保留一定厚度第二截止层，一方面可以使得第二金属层的厚度可以进一步做厚，另一方面还可以降低增厚的第二金属层产生的寄生电容。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息86条，此外企业还拥有行政许可86个。
来源：金融界
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