力晶积成申请动态随机存取存储器的制造方法专利，公开一种动态随机存取存储器制造方法步骤
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2025-06-07 17:35:54
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“动态随机存取存储器的制造方法”的专利，公开号CN120111880A ，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明公开一种动态随机存取存储器的制造方法，其包括以下步骤。在基底上形成第一晶体管与第二晶体管以及在基底中形成用以隔离第一晶体管与第二晶体管的隔离结构。在基底上形成介电层，其中介电层暴露出第一晶体管的源极/漏极区中的邻近隔离结构者以及第二晶体管的源极/漏极区中的邻近隔离结构者。在暴露出的源极/漏极区上成长第一外延层以及在第二外延层。在第一外延层与第二外延层之间的隔离结构上形成绝缘结构。在第一外延层上形成第一接触结构，以及在第二外延层上形成第二接触结构，其中第一接触结构与第二接触结构通过绝缘结构而分隔开。在介电层上形成第一电容器与第二电容器。

来源：金融界

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