联麓半导体申请适用于明暗场结合图像的轻量级芯片缺陷检测方法专利，有效分离重要特征和冗余背景信息_行业新闻

联麓半导体申请适用于明暗场结合图像的轻量级芯片缺陷检测方法专利，有效分离重要特征和冗余背景信息

创始人

2025-06-09 11:37:20

0次

金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海联麓半导体技术有限公司申请一项名为“一种适用于明暗场结合图像的轻量级芯片缺陷检测方法”的专利，公开号CN120107204A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明公开了一种适用于明暗场结合图像的轻量级芯片缺陷检测方法，包括：S1、构建芯片缺陷数据集，包括若干芯片图像及其对应的缺陷区域掩码；S2、构建改进型深度学习分割网络，利用芯片缺陷数据集对其训练并进行量化，得到轻量缺陷检测模型，其引入自适应动态门控模块，同时基于量化敏感度的阈值自适应策略和基于蒙特卡洛的多目标优化进行模型量化；S3、利用轻量缺陷检测模型对待检测芯片图像进行缺陷检测。本发明方法能够有效分离重要特征和冗余背景信息，提高复杂图像中缺陷检测的准确性，通过两种量化方法能够系统地识别基于检测模型敏感性和性能标准的最佳量化配置，从而在资源受限的设备上实现高效、准确的缺陷检测。

天眼查资料显示，上海联麓半导体技术有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本526.3158万人民币。通过天眼查大数据分析，上海联麓半导体技术有限公司专利信息4条，此外企业还拥有行政许可1个。

来源：金融界

缺陷信息检测量化模型冗余芯片于明图像专利蒙特卡洛暗场

上一篇：上海积塔半导体取得准直器及磁控溅射设备专利，使沉积到基片表面的膜层厚度更均匀

下一篇：慧研智投服务费能退吗?交完服务费毫无收益还倒亏钱！维权可退费

联麓半导体申请适用于明暗场结合图像的轻量级芯片缺陷检测方法专利，有效分离重要特征和冗余背景信息

相关内容

热门资讯