南亚科技申请半导体结构的制造方法专利，降低生产成本
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2025-06-10 08:34:03
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN120129301A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，半导体结构的制造方法包括以下步骤。接收基板，其中埋入式电容器的顶部电极从基板暴露出。形成氧化层于基板上。形成图案化牺牲层于氧化层上并暴露氧化层的一部分。形成金属层覆盖氧化层的所述部分。形成图案化介电层于金属层上。形成间隔物于图案化介电层的侧壁上。使用间隔物和图案化介电层作为遮罩，图案化金属层，以形成间隙。使用填料填充间隙。移除图案化牺牲层，以暴露埋入式电容器的顶部电极。形成栅极结构于埋入式电容器的顶部电极上。

来源：金融界

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