长鑫科技申请半导体结构及感测放大器专利，有源结构不易断开
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2025-06-10 08:34:04
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及感测放大器”的专利，公开号CN120129227A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构易断开的技术问题。该半导体结构包括有源结构、第一栅极结构和第二栅极结构。有源结构包括沿第一方向相接的第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区彼此远离的一端分别设置有第一凹部和第二凹部，且第一凹部与第二凹部沿第一方向具有间距，以增加第一凹部和第二凹部之间的有源结构沿第一方向的厚度，有源结构不易断开。第一栅极结构设置于第一有源区上、横跨第一凹部且与第一凹部的端部相间隔，第二栅极结构设置于第二有源区上、横跨第二凹部且与第二凹部的端部相间隔，避免额外增加第一栅极结构和第二栅极结构相对的沟道长度，保证半导体结构的性能。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息379条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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