金融界2025年6月11日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN120129244A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,一种半导体结构及其形成方法,半导体结构中,过渡部的倾斜侧壁和第三区域中掺杂区的顶部构成外凸的转角,浮置栅极包围外凸的转角中的掺杂区,在半导体结构进行写入操作时,依据尖端放电的原理,外凸转角中尖端区域的掺杂区和浮置栅极之间的电场强度较大,掺杂区中的电子易于进入浮置栅极中,有利于提高半导体结构的写入性能。过渡部的倾斜侧壁和第一区域中掺杂区的顶部呈内凹的转角,掺杂区包围内凹转角中的浮置栅极,在半导体结构进行擦除操作时,依据尖端放电的原理,内凹转角中尖端区域的浮置栅极和掺杂区之间的电场强度较大,浮置栅极中的电子易于进入掺杂区中,有利于提高半导体结构的擦除性能。
天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目127次,财产线索方面有商标信息150条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可443个。
来源:金融界