中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构的写入性能
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2025-06-11 19:34:32
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120129244A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构中，过渡部的倾斜侧壁和第三区域中掺杂区的顶部构成外凸的转角，浮置栅极包围外凸的转角中的掺杂区，在半导体结构进行写入操作时，依据尖端放电的原理，外凸转角中尖端区域的掺杂区和浮置栅极之间的电场强度较大，掺杂区中的电子易于进入浮置栅极中，有利于提高半导体结构的写入性能。过渡部的倾斜侧壁和第一区域中掺杂区的顶部呈内凹的转角，掺杂区包围内凹转角中的浮置栅极，在半导体结构进行擦除操作时，依据尖端放电的原理，内凹转角中尖端区域的浮置栅极和掺杂区之间的电场强度较大，浮置栅极中的电子易于进入掺杂区中，有利于提高半导体结构的擦除性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界
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