新一新能源申请太阳能电池相关专利，在去除非电极区域的第三半导体层时，界面层能作为阻挡层，防止损伤第二半导体层，便于控制非电极区域的第二半导体层的厚度
创始人
2025-06-11 19:34:44
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，新一新能源科技（衢州）有限公司申请一项名为“一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及光伏组件”的专利，公开号CN120129352A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及光伏组件，其中太阳能电池包括：硅基底、第一半导体层、隧穿层、第二半导体层、界面层、第三半导体层、第一电极和第二电极；所述第二半导体层设于所述隧穿层表面；所述界面层设于所述第二半导体层表面；所述第三半导体层设于所述界面层的部分表面。
天眼查资料显示，新一新能源科技（衢州）有限公司，成立于2023年，位于衢州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本51020.408163万人民币。通过天眼查大数据分析，新一新能源科技（衢州）有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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