格科半导体申请半导体器件的形成方法专利，改善刻蚀后基底的表面损伤程度
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2025-06-14 17:38:40
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN120149260A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有图形化的第一掩膜层；依次在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层以及图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述第二掩膜层进行第一等离子体刻蚀，以得到图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层暴露出所述基底；以所述图形化的光刻胶层和所述图形化的第二掩膜层为掩膜，对所述基底进行第二等离子体刻蚀；其中，对所述基底进行第二等离子刻蚀的步骤中对所述基底的刻蚀量，小于所述图形化的光刻胶层与所述图形化的第二掩膜层的厚度之和。通过本公开方案可以在保证较好的通孔刻蚀效果的同时，改善刻蚀后基底的表面损伤程度，提升器件性能和良率。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可86个。
来源：金融界
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