苏州晶湛半导体申请一种半导体结构专利，增大第一散热模块和发光结构之间热交换的面积
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2025-06-20 09:07:40
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构”的专利，公开号CN120187177A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、位于衬底一侧的发光结构，发光结构包括依次叠置的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，第一类型半导体层包括未被有源层覆盖的第一部分，将第一散热模块设置在第一部分，使第一散热模块靠近第一部分的表面可以用于第一类型半导体层的第一部分的表面散热，第一散热模块靠近发光结构的侧面可以用于对发光结构的侧壁散热，增大第一散热模块和发光结构之间热交换的面积，以获得较好的散热效果。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息298条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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