铠侠申请半导体装置及其制造方法专利,本披露涉及一种半导体装置及其制造方法
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2025-06-25 19:09:52
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金融界2025年6月25日消息,国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN120201723A,申请日期为2024年08月。

专利摘要显示,本披露涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备设置于第1绝缘膜的第1方向的第1配线。第1配线排列于第2方向,沿第3方向延伸。第2绝缘膜在第1配线上分别对应地设置。第2绝缘膜中第2方向上的各个与第1配线相接的面上的宽度,比与它对应的第1配线的宽度窄。第3绝缘膜在第1配线上分别对应地设置,分别覆盖第2绝缘膜的两侧面。第4绝缘膜设置在第3绝缘膜上,第5绝缘膜设置在第4绝缘膜上。第1接触件贯通第2~第5绝缘膜来连接于第1配线。第2配线设置在第1接触件上。在第1配线的第1方向设置着第1接触件,或设置着第2及第4绝缘膜。

来源:金融界

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