中微半导体申请沉积方法相关专利，利于后续处理步骤中提高刻蚀良率
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2025-06-28 12:10:01
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“沉积方法、衬底处理方法及半导体处理设备”的专利，公开号CN120221394A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沉积方法、衬底处理方法及半导体处理设备。本发明的沉积方法，可高选择比的仅在所述掩模层的上表面和所述槽状结构的侧壁形成沉积层，以形成粗糙度优于第一轮廓形貌的第二轮廓形貌，利于后续处理步骤中提高刻蚀良率。本发明的衬底处理方法，通过在掩模层上选择性沉积、对抗反射涂层部分刻蚀、对刻蚀部分修复的循环步骤，以形成低粗糙度的形貌轮廓，对后续刻蚀工艺改善显著。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目66次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1486条，此外企业还拥有行政许可72个。
来源：金融界
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