聚辰半导体申请闪存器件及其制备方法专利，大大降低了Source Line的电阻率
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2025-06-28 12:37:51
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，聚辰半导体股份有限公司申请一项名为“一种闪存器件及其制备方法”的专利，公开号CN120224691A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种闪存器件及其制备方法，该方法包含：提供一衬底，在所述衬底上形成多个栅极结构和位于所述栅极结构两侧的源极区和漏极区，在所述栅极结构上制备硬掩膜层；在所述源极区和所述漏极区中填入第一厚度的掺杂导电层，所述第一厚度小于所述栅极结构的厚度；在所述栅极结构和所述源极区的所述掺杂导电层上设置光罩，去除所述漏极区上的所述掺杂导电层；去除所述光罩和所述硬掩膜层；在所述栅极结构、所述源极区的掺杂导电层和所述漏极区上形成自对准硅化物层。
天眼查资料显示，聚辰半导体股份有限公司，成立于2009年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本15742.1944万人民币。通过天眼查大数据分析，聚辰半导体股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息106条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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