华力微电子取得横向扩散金属氧化物半导体的子电路模型构建方法专利
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2025-07-18 20:40:03
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司取得一项名为“一种横向扩散金属氧化物半导体的子电路模型构建方法”的专利，授权公告号CN114117971B，申请日期为2021年11月。

来源：金融界

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