长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等专利，改善沟道表面平整度提高导电性能
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2025-05-18 00:04:57
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN119997566A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明公开了半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，该半导体器件包括第一半导体本体，第一区域设置于第一表面，阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧；第一区域和阱区的导电类型相反；第二半导体本体覆盖部分第一区域和阱区；栅极结构位于第一表面或者从第一表面延伸至第一半导体本体中；栅极结构包括栅氧层和栅极，栅氧层位于第二半导体本体远离第一半导体本体的一侧且覆盖第二半导体本体的侧面，栅极位于栅氧层远离第二半导体本体的一侧；源极，位于第一表面；漏极，位于第二表面。本发明改善了沟道表面的平整度，提高了半导体器件的导电性能。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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