赫瑞半导体取得超高纯碳化硅化学气相沉积设备专利，避免缺陷形成或沉积不均匀
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2025-08-23 18:05:31
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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，杭州赫瑞半导体科技有限公司取得一项名为“一种超高纯碳化硅化学气相沉积设备”的专利，授权公告号CN223255419U，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本实用新型涉及一种超高纯碳化硅化学气相沉积设备，属于碳化硅加工技术领域，包括支撑板，所述支撑板的顶部可拆卸连接有反应室，所述支撑板上设置有放置结构；所述放置结构包括反应室外壁设置的连接板，所述连接板的底部固定连接有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆固定端与支撑板固定连接。当需要使用装置时，可通过电动伸缩杆使得反应室下移，反应室的下移会使得放置板及其相关部件漏出，此时工作人员可以将基材放置到放置板上，并通过弹簧和夹持板对其进行夹持，启动装置进行沉积，启动时，通过电机带动转杆和放置板进行转动，通过放置板的转动带动基材缓慢转动，从而避免缺陷形成或沉积不均匀的情况。
天眼查资料显示，杭州赫瑞半导体科技有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1066.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州赫瑞半导体科技有限公司参与招投标项目2次，专利信息2条。
来源：金融界
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