中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构的良率和可靠性
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2025-05-20 10:34:20
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120018509A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存储区，存储区包括相邻的存储单元区和位线区，基底上形成有叠层材料层，叠层材料层包括第一栅极材料层和位于第一栅极材料层上的第二栅极材料层，叠层材料层上形成有分立的硬掩模层；沿硬掩模层图形化叠层材料层，保留位于存储单元区中的叠层材料层作为叠层栅结构，叠层栅结构中的第一栅极材料层作为浮栅结构，叠层栅结构中的第二栅极材料层作为控制栅结构；去除硬掩模层；在存储单元区中相邻叠层栅结构的相对侧壁围成的基底上形成擦除栅结构，擦除栅结构覆盖两侧的叠层栅结构侧壁；在基底上形成覆盖擦除栅结构和叠层栅结构的顶部的层间介质层。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界
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