金融界2025年5月20日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;华虹半导体制造(无锡)有限公司申请一项名为“提高铜互连抗电迁移性能的方法”的专利,公开号CN120015701A,申请日期为2025年02月。
专利摘要显示,本发明提供一种提高铜互连抗电迁移性能的方法,提供衬底,衬底上形成集成电路器件;在衬底上形成互连结构,其中,互连结构包括与集成电路器件连接的多个导电部件,以及包括层间介电层以分离和隔离各种导电部件,互连结构的顶部金属线为铜金属线;将衬底转移至工艺腔中,去除工艺腔中的水蒸气;在工艺腔中通入还原性气体,将铜金属线表面的氧化铜还原为铜;在工艺腔中通入含硅气体,使铜金属线表面形成铜硅化物;在工艺腔中同时通入含硅气体和含氮气体,使铜金属线表面形成新的铜硅化物和铜氮化物,以及形成覆盖铜硅化物和铜氮化物上的氮化层;形成覆盖氮化层的介质阻挡层。本发明的方法能够提升铜互连抗电迁移性能;与已有工艺有良好的兼容性。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2912次,专利信息1654条,此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造(无锡)有限公司,成立于2022年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体制造(无锡)有限公司参与招投标项目369次,专利信息14条,此外企业还拥有行政许可226个。
来源:金融界